晶閘管又稱(chēng)為可控硅整流器，應(yīng)用非常***。在晶閘管的使用過(guò)程中，會(huì)碰到元件損壞的各種問(wèn)題和情況。造成這類(lèi)問(wèn)題的關(guān)鍵，一方面是不當(dāng)?shù)氖褂梅椒ㄋ拢硪环矫嬉部赡苁蔷чl管產(chǎn)品本身的問(wèn)題。本文就詳細(xì)就晶閘管損壞的產(chǎn)品因素進(jìn)行介紹。

從晶閘管元件參數(shù)本身考慮，有些因素可能會(huì)造成元件的損壞，這可以從解剖大量損壞的晶閘管元件芯片上分析看出。

（1）晶閘管元件的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，芯片內(nèi)部P—N結(jié)結(jié)溫不得超過(guò)115攝氏度，當(dāng)結(jié)溫超過(guò)臨界允許結(jié)溫時(shí)，元件所能承受的阻斷電壓將急劇下降。
（2）電壓上升率Du/dt、電流上升率DI/dt對(duì)晶閘管使用的影響。晶閘管對(duì)電壓上升率是有限的，晶閘管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷時(shí)，電壓突然加在元件的兩端，因?yàn)镻—N結(jié)有一定的電容量，如果電壓上升率太大，則會(huì)產(chǎn)生一定的漏電流，使元件不關(guān)斷而損壞。晶閘管的電流上升率也是有限的。當(dāng)元件使用在電流比較大、頻率比較高的情況下，由于電流上升率較大，在芯片上電流來(lái)不及擴(kuò)散，產(chǎn)生局部結(jié)溫過(guò)高而損壞。
（3）關(guān)斷時(shí)間對(duì)晶閘管的影響。晶閘管的關(guān)斷時(shí)間對(duì)逆變電路工作有較大的影響，工作頻率愈高要求的關(guān)斷時(shí)間愈小，晶閘管從導(dǎo)通到關(guān)斷需要一定時(shí)間，儲(chǔ)存在P—N結(jié)中的電荷（載流子）要逐漸放掉，如果關(guān)斷時(shí)間太長(zhǎng)，則使晶閘管不能可靠關(guān)斷，使逆變電路換流失敗而造成過(guò)流現(xiàn)象導(dǎo)致元件的損壞。