雙向晶閘管在使用過(guò)程中，應(yīng)掌握如下規(guī)則：

       1.為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT ,直至負(fù)載電流達(dá)到≧ IL .這條件必須滿足，并按可能遇到的zui低溫度考慮。

　　2. 要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須<IH, 并維持足夠長(zhǎng)的時(shí) 間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的zui高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。

　　3. 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-,+）。

　　4. 為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至zui低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若 用硬線，用螺旋雙線或**線。門極和MT1間加電阻1k倩蚋 8咂蹬月返縟鶯兔偶浯擁繾琛A硪喚餼靄旆?，选用H系列低靈敏度雙向可控硅。

　　5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。  若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。  另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。

　　6. 假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下 列措施之一：   負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾霩的不飽和電感，以限制dIT/dt;  用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

　　7. 選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以zui大限度提高雙向可控硅的 dIT/dt承受能力。

　　8. 若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上zui好串聯(lián)一個(gè)幾霩的無(wú)鐵芯電感 或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

　　9. 器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把 鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

　　10. 為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的 zui高環(huán)境溫度。

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